應(yīng)用領(lǐng)域：
IGBT/FRD/MOS/SBD等晶圓正背面金屬化晶圓級先進(jìn)封裝UBM金屬化

晶圓尺寸：
100-300mm(50~150um Taiko wafer , Normal 750um wafer)

設(shè)備配置 ：

全面支持SECS/GEM通訊協(xié)議;

自動(dòng)化、智能化鎳，鈀，金槽在線分析添加系統(tǒng);

自動(dòng)配液，補(bǔ)液，換酸;

溫度，流量，濃度，壓力，可控可調(diào);

支持模塊化維護(hù)，提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間；

軟件具備倒車功能，槽位可以任意選擇組合；

設(shè)備工藝槽具有特殊的流場分布設(shè)計(jì)，有效改善鍍層均勻性；

設(shè)備自動(dòng)化操作，干進(jìn)干出；

可提供設(shè)備與藥水、工藝整體解決方案。

膜層厚度：
Ni/3±0.3um   Pd/0.3±0.03um   Au/0.05±0.005um

工藝指標(biāo)：
WIW:U%<10%
WTW:U%<10%

應(yīng)用領(lǐng)域：
先進(jìn)封裝TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump、大馬士革電鍍等工藝

晶圓尺寸：
100-300mm（片度：200um-750um)

設(shè)備配置：

全面支持SECS/GEM通訊協(xié)議;

電鍍：Cu、Ni、Sn/Ag、Au；

支持3個(gè)loadport；

支持?jǐn)U展16個(gè)電鍍腔體；

支持?jǐn)U展4個(gè)預(yù)濕腔體，4個(gè)清洗腔體；

特殊的消泡機(jī)構(gòu)，消除鍍液氣泡；

系統(tǒng)配備雙System controller，無宕機(jī)風(fēng)險(xiǎn);

支持電鍍腔內(nèi)攪拌功能，頻率可調(diào);

配備進(jìn)口高精度直流脈沖電源;

支持模塊化維護(hù)，提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間；

陰陽極分離技術(shù)，更佳鍍液穩(wěn)定性。

工藝指標(biāo)：
電鍍均一性：
WiWNU≤3%；
WtWNU≤3%；

應(yīng)用領(lǐng)域：
TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump等工藝

產(chǎn)品尺寸：
晶圓 2寸-12寸/玻璃基板510*515

設(shè)備配置：

全面支持SECS/GEM通訊協(xié)議；

電鍍：Cu、Ni、Sn/Ag、Au；

可支持單雙面電鍍，也可以同時(shí)多片電鍍；

支持模塊化維護(hù)，提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間；

溫度，流量，濃度，壓力，可控可調(diào)；

可以為各科研單位定制研發(fā)類定制機(jī)臺；

可選多l(xiāng)oadport，根據(jù)產(chǎn)能配備；

可提供設(shè)備與藥水、工藝整體解決方案；

設(shè)備自動(dòng)化操作，干進(jìn)干出。

工藝指標(biāo)：

電鍍均一性：WiW≤8%；
WtW≤8%

設(shè)備特點(diǎn)：

疊堆設(shè)計(jì)最高可配置12個(gè)腔室

上下層傳送系統(tǒng)提供多達(dá)350wph的吞吐量

可配置可正背面清洗，藥液種類多達(dá)5種，可回收2種藥液

腔體可配備二流體霧化噴嘴

腔室可將化學(xué)飛濺降至最低，確保腔體清潔晶圓加工環(huán)境

腔體超潔凈空氣動(dòng)態(tài)平衡均一性好

應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體行業(yè)，前道工藝制成（IC集成電路）、后道先進(jìn)封裝，襯底材料（硅片、碳化硅、氮化鎵等化合物）。

晶圓尺寸：300mm

設(shè)備配置：

先進(jìn)運(yùn)輸系統(tǒng)和專有算法的開發(fā)Throughput：400WPH；

配有氮?dú)忪F化二流體清洗 ；

采用防靜電管路，可調(diào)CO2 Generator電阻率；

配有定制的軟刷清洗掃描到邊緣刷洗；

晶圓翻轉(zhuǎn)功能可進(jìn)行背面與正面清洗；

配置8套刷片清洗腔體，2套翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。

設(shè)備特點(diǎn)：

可適用于8寸或12寸晶圓清洗

配有可設(shè)置溫度氮?dú)飧稍?

多種藥液高精度流量控制，溫度控制

可進(jìn)行藥液回收，增加藥液利用率

最多可配置8套清洗腔體

可配置多種藥液氫氟酸，臭氧水等

應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體行業(yè)，前道工藝制成（IC集成電路）、后道先進(jìn)封裝，襯底材料（硅片、碳化硅、氮化鎵等化合物）。

晶圓尺寸：
150mm-300mm

設(shè)備配置：

配有槽式浸泡和單片旋轉(zhuǎn)噴淋結(jié)合，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；

高壓或二流體噴淋可徹底除去光刻膠；

配去膠液回收、循環(huán)過濾再使用，降低用戶成本，貴重金屬回收；

基片干進(jìn)濕傳干出，機(jī)械手下方濕出浸泡槽，有漏液盤；

可針對藥液循環(huán)過濾、起泡、殘?jiān)榷ㄖ圃O(shè)計(jì)，解決工藝制程問題；

可客制相應(yīng)配置，混酸及供酸設(shè)備，支持多樣化制程

應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體行業(yè)，前道工藝制成（IC集成電路）、后道先進(jìn)封裝，襯底材料（硅片、碳化硅、氮化鎵等化合物），還適用于玻璃基板、陶瓷板等領(lǐng)域。

應(yīng)用方式：
Cassette-type & Cassetteless-type

晶圓尺寸：
100mm-300mm

設(shè)備配置：

全面支持SECS/GEM通訊協(xié)議;

設(shè)備自動(dòng)化操作，干進(jìn)干出（Marangoni dry 或 spin dry;）

配備自動(dòng)消防安全系統(tǒng);

自動(dòng)配液，補(bǔ)液，換酸;

溫度，流量，濃度，壓力，可控可調(diào);

可選多l(xiāng)oadport，根據(jù)產(chǎn)能配備;

全工藝段監(jiān)控及傳感器安全互鎖;

全程在線技術(shù)支持。

主要品牌：
主要parts選用國外一線品牌（Rochling、KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON）

應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體行業(yè)，前道工藝制成（IC集成電路）、后道先進(jìn)封裝，襯底材料（硅片、碳化硅、氮化鎵等化合物），還適用于玻璃基板等領(lǐng)域。

應(yīng)用方式：
Cassette-type & Cassetteless-type

晶圓尺寸：
100mm-300mm

設(shè)備配置：

全面支持SECS/GEM通訊協(xié)議；

設(shè)備自動(dòng)化操作，干進(jìn)干出（Marangoni dry 或spin dry;）

配備自動(dòng)消防安全系統(tǒng)；

自動(dòng)配液，補(bǔ)液，換酸；

溫度，流量，濃度，壓力，可控可調(diào)；

可選多l(xiāng)oadport，根據(jù)產(chǎn)能配備；

全工藝段監(jiān)控及傳感器安全互鎖；

全程在線技術(shù)支持。

主要品牌：
主要parts選用國外一線品牌（KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON）

設(shè)備特點(diǎn)：

Mattson原廠授權(quán)生產(chǎn)新機(jī)

寬溫度范圍(100°C to 250°C)

單片機(jī)控制的雙晶圓片加工，工藝均勻性好

真空負(fù)載鎖隔離工藝室，以減少缺陷

同時(shí)處理多晶圓片的高速機(jī)器人-高通量(> 130 wph)

在小于200mm的帶材產(chǎn)品中，具有最高吞吐量/平方占地面積的小占地面積

與微波源帶材產(chǎn)品相比，耗材成本更低

VTM傳輸，更好的保證設(shè)備particle要求

單腔或雙腔工藝選擇，單腔可同時(shí)工藝兩片

可支持4至8英寸晶圓

技術(shù)參數(shù)：

strip rate:  >5.6um/min

uniformity within wafer(descum): <5%

uniformity within wafer(strip): <5%

uniformity wafer to wafer(strip):  <5%

uniformity run to run(strip):  <5%

uptime:  >90%

1min process time(WPH):  160

particle（>0.3um）:  <50ea

設(shè)備特點(diǎn)：

適用于4至8英寸硅基或化合物的勻膠顯影工藝

最大設(shè)備配置:4套勻膠/顯影、10套熱(冷)板單元,1套HMDS單元

根據(jù)客戶工藝需求可加裝涂膠溫濕度控制

可兼容4+6寸或6+8寸晶圓尺寸

整機(jī)適合產(chǎn)能要求較高的批量產(chǎn)線

可選配MES協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊

技術(shù)參數(shù)：

旋轉(zhuǎn)速度范圍: 20-5000rpm

加速度范圍: 20-20000rpm/s

轉(zhuǎn)速精度: 土1rpm

熱盤溫度范圍: 50°C-260°C

熱盤溫度均勻性: 士1%或更高

冷盤溫度范圍: 20°C-25°C

冷盤溫度均勻性: 土0.2°C

光刻膠粘度: 0-2000Cp(可選高粘度)

膠泵類型: 氣動(dòng)或電動(dòng)膠泵

光刻膠或顯影液管路: <=3路

流量監(jiān)控: 浮子式流量計(jì)(可選配超聲流量計(jì))

應(yīng)用領(lǐng)域：

適用高溫等離子處理半導(dǎo)體或化合物制程氣體。

PFCs氣體：CF4, SF6, NF3 等

腐蝕性氣體：Cl2, F2, BCl3, HBr 等

可燃性氣體：SiH4, TEOS, DCS, H2 等

使用制程：

Dry etch/Thin Film/Implant

優(yōu)點(diǎn)：

等離子火炬可釋放超過3000℃的高溫，更高效的處理易燃?xì)怏w、有毒氣體和 PFCs氣體。

尤其是對PFCs氣體的處理能力。

經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的水淋系統(tǒng)，水溶性廢氣處理時(shí)并且不產(chǎn)生水霧。

應(yīng)用領(lǐng)域：

適用高溫等離子處理半導(dǎo)體或化合物制程氣體。

PFCs氣體：CF4, SF6, NF3 等

腐蝕性氣體：Cl2, F2, BCl3, HBr 等

可燃性氣體：SiH4, TEOS, DCS, H2 等

使用制程：

Dry etch/Thin Film/Implant

優(yōu)點(diǎn)：

裝維護(hù)便捷,PM時(shí)間短。

尾氣入口管可為KF50,避免粉塵附著，延長PM周期。

獨(dú)特的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，經(jīng)濟(jì)C.O.O與C.O.C，使用成本低。

可選節(jié)水型號,水循環(huán)使用，擁有極低的耗水量。

在各種制成上采用高效的高溫燃燒器，可有效選擇高低功率，降低運(yùn)行費(fèi)用。

應(yīng)用領(lǐng)域：

用吸附劑和吸附介質(zhì)處理半導(dǎo)體或化合物制程氣體

注入氣體(AsH3, PH3, BF3 等)

腐蝕性氣體(F2, Cl2, BCl3, HBr 等)

使用制程：

Dry etch/Implant/MOCVD(AsH3)/PLD(SiC)

原理：

通過G-FLYING CLEANSORB的化學(xué)吸附顆粒進(jìn)行氣體處理。

吸收塔內(nèi)裝置的基本成分為G-FLYING CLEANSORB化學(xué)吸附顆粒。

吸附過程通過化學(xué)轉(zhuǎn)換(化學(xué)吸附)方式形成穩(wěn)定鹽分分離有害的工藝氣體(反應(yīng)在室溫下進(jìn)行)，過程中無需外部加熱、加濕或其它功能設(shè)施。

氣體和吸收劑的化學(xué)吸收反應(yīng)是不可逆的,確保危險(xiǎn)氣體保持固體形態(tài)。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

高效節(jié)能：采用先進(jìn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及控制技術(shù)，可以大大降低能耗，節(jié)約運(yùn)營成本。

穩(wěn)定可靠：采用優(yōu)質(zhì)的材料和零部件，經(jīng)過嚴(yán)格的測試和檢驗(yàn)，可以長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，保證生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

操作簡便：采用智能控制系統(tǒng)，操作簡便，可以根據(jù)需要自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度和制冷量，操作方便快捷。

產(chǎn)品能力范圍：

溫度范圍：-70℃~250℃

控溫精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

適用范圍：Etch、Thin Film、離子注入等各種半導(dǎo)體設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn)：

高效節(jié)能：采用先進(jìn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及控制技術(shù)，可以大大降低能耗，節(jié)約運(yùn)營成本。

穩(wěn)定可靠：采用優(yōu)質(zhì)的材料和零部件，經(jīng)過嚴(yán)格的測試和檢驗(yàn)，可以長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，保證生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

操作簡便：采用智能控制系統(tǒng)，操作簡便，可以根據(jù)需要自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度和制冷量，操作方便快捷。

產(chǎn)品能力范圍：

溫度范圍：-70℃~250℃

控溫精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

適用范圍：Etch、Thin Film、離子注入等各種半導(dǎo)體設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn)：

高效節(jié)能：采用先進(jìn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及控制技術(shù)，可以大大降低能耗，節(jié)約運(yùn)營成本。

穩(wěn)定可靠：采用優(yōu)質(zhì)的材料和零部件，經(jīng)過嚴(yán)格的測試和檢驗(yàn)，可以長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，保證生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

操作簡便：采用智能控制系統(tǒng)，操作簡便，可以根據(jù)需要自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度和制冷量，操作方便快捷。

產(chǎn)品能力范圍：

溫度范圍：-70℃~250℃

控溫精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

適用范圍：Etch、Thin Film、離子注入等各種半導(dǎo)體設(shè)備